GENERIS PVD

适用于异质结电池的在线溅射设备

参考资料

用于异质结电池等高性能太阳能电池的溅射技术

德国新格拉斯科技集团旗下的GENERIS PVD专为满足 高性能HJT太阳能电池生产的特定要求而设计,通过将 具有不同电子性质的薄膜沉积在掺氮晶体硅片上,以 生产和供应电能。异质结和钝化结构由本征和掺杂非 晶硅的双面薄层形成。在这些硅结构的顶部,通过溅 射工艺涂上薄而透明的导电氧化物膜(TCO)作为接 触层,将产生的电从电池中传导出去。 德国新格拉斯科技集团为太阳能行业提供水平基板运 输的GENERIS PVD高产量在线溅射设备平台。该设 备专为满足高性能HJT太阳能电池生产的特定要求而 设计。对于复杂的透明导电氧化物层(TCO),例如 ITO(氧化铟锡)和AZO(掺铝氧化锌),GENERIS PVD能极大地满足异质结电池技术的关键要求。太阳 能电池通过GENERIS PVD的工艺腔体自动传送,遵循 在线原理且双面涂层处理。溅射设备可确保较高的层 厚均匀性,具有较高的层重现性、高生产率,同时降 低了运营成本(OPEX)。 在整个工艺过程中,基板的温度可控制在≤200°C, 以实现最佳的涂层性能。与传统的反应性等离子体沉 积(RPD)等替代工艺相比,真空在线溅射设备具有 许多明显的优势。以一家1 GW产能的HJT太阳能电池 工厂为例计算,使用SINGULUS最大产能为10,000片/

模块化GENERIS PVD设备实现高灵活性
小时(wph)的高产能溅射设备,相比使用产能只 有2,500 wph的RPD设备,所需要的设备数量更少, 资本支出(CAPEX)显著减少。最新设备GENERIS PVD 10000可以确保最高10,000 wph的产能,年设备 产量可达到约500MW。由于设备占地面积较小,对 建筑和洁净室空间的要求也较低,可以进一步节省成 本。另外,RPD设备只提供自下而上的单面工艺,需 要翻转晶片,产生额外不必要的晶片处理工序。相比 之下,GENERIS PVD采用双面工艺,晶片处理工序较 少,可减少晶片的断裂、损坏和污渍。集团可以根据 3000、6000和高达10,000片/小时的产能要求提供不 同的GENERIS PVD设备。

用于异质结电池等高性能太阳能电池的溅射技术

→ 溅射材料:ITO, AZO和Mo, Al, Cu, Ag, NiV 等金属层
→ 标准应用包括减反射层、阻挡层、前体和金属层
→ 可同时对多个基板进行工艺
→ 4种可选模式:
    → GENERIS LAB
    → GENERIS PVD 3000,效率约3000片/小时
    → GENERIS PVD 6000,效率约6000片/小时
    → GENERIS PVD 10000,效率约10000片/小时
→ 承载器装载区:1,400 毫米 x 1,600 / 2,000 毫米
→ 标准生产节拍:每个承载器40 – 75秒
→ 利用承载盘同时处理基材(如显示器、玻璃 硅片)
→ 高速自动化装卸承载盘(单面或双面)
→ 可配置自上而下和自下而上溅射–双面溅射,真空无间断
→ 低运营成本和高稼动率
→ 可配置溅射顺序
→ 旋转式圆柱形磁电管
→ 靶材高利用率
→ 承载器传送系统在设备下方
→ 真空底压:‹ 1 x 10-6 mbar,标准工艺气压: 2 - 5 x10-3 mbar

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