GENERIS PVD

适用于异质结电池的在线溅射设备

参考资料

溅射技术

德国新格拉斯科技集团自1995年成立后已售出超过 8000台涂层设备,既可用于标准溅射工艺也可作为超 高真空沉积设备用于半导体、数据存储、装饰性涂层 和其它应用所需的约0.2nm超薄层处理。

德国新格拉斯科技集团在合理利用资源的基础上为高 效生产流程开发创新技术。集团掌握包括真空薄膜技 术、湿法化学处理、表面技术和热加工等专业技术, 旨在巩固现有核心竞争力的同时拓展其它业务。

集团将运用其掌握的自动化技术和工艺技术研发创新 产品,开拓其它具有潜力的业务领域。<br/><br/>电池生产的重点在于效率。异质结电池技术(HJT)能在 将电池效率提高到23 %的同时降低生产成本。新研发 的GENERIS PVD设备是专为光伏高效电池生产而设计 的水平式在线溅射工具。

异质结电池两面为PVD(物理气相沉积)沉积的透明 导电氧化层(TCO)。该设备适用于非传统性的层堆,例 如ITO, AZO等透明导电氧化层。这些薄膜拥有极低的 吸光率和极强的导电性,是异质结电池技术不可或缺 的重要组成部分。非晶硅层堆不存在溅射损伤。整个 工艺过程基材温度控制在200 °C以内,保证层堆性能 最优化。

GENERIS PVD溅射设备能在全真空不间断且硅片无需 翻面的情况下对其正反两面的接触层进行沉积。可选 择性集成溅射层退火工艺。金属(如Ag)镀膜也在同一 设备中完成。通过使用圆柱形磁电管溅射,可在降低 生产成本的同时最大程度使用靶材。

其它标准应用包括减反射层、阻挡层、前驱体层和Al, Cu, NiV等不同金属层。设备采用在线式工艺,通过专 门设计的承载器传输基板并隔离边缘。传送装置位于 设备下方,确保其干净不受污染。装载和卸载可选不 同的自动化模式。

GENERIS PVD标准性能

适用于ITO, AZO等透明导电氧化层,如HJT

  • 可同时对多个基板进行工艺
  • 三种可选模式:
    • GENERIS LAB
    • GENERIS PVD 3000,效率约3000片/小时
    • GENERIS PVD 6000,效率约6000片/小时
  • 模块化配置
  • 低生产成本和高稼动率
  • 溅射方向可选自上而下/自下而上
  • 可配置溅射序列
  • 对整个工艺过程进行温度控制
  • 通过旋转式圆柱形磁电管最大程度使用靶材 溅射材质:ITO, AZO和Ag, NiV, Cu, Al等金属
  • 可根据客户要求定制手动或半自动式实验室版本


通过旋转磁控管实现快速冷却和高材料/靶材利 用率

  • 旋转式靶材利用率高达80 %,平面阴极仅30 %
  • 旋转阴极形成喷嘴较少,工艺更稳定
  • 旋转密封圈使用寿命长
  • 在客户场所进行维护
  • 先进的注水和排水能力
  • 灵活的靶材连接方法,对靶材无特定要求

     

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