GENERIS PVD

适用于异质结电池的在线溅射设备

参考资料

适用于高效太阳能电池(例如异质结电池)的溅射技术

德国新格拉斯科技集团的GENERIS PVD设备专为制造HJT太阳能电池的超薄基板(例如硅片)而设计。 将具有不同电子性质的薄膜沉积在掺氮晶体硅片上,以生产和供应电能。异质结和钝化结构由本征和掺杂 非晶硅的双面薄层形成。在这些硅结构的顶部,通过溅射工艺涂上薄而透明的导电氧化物膜(TCO)作为 接触层,将产生的电从电池中传导出去。

德国新格拉斯科技集团为太阳能行业提供水平基板运输的GENERIS PVD高产量在线溅射设备平台。该设 备专为满足高性能HJT太阳能电池生产的特定要求而设计。对于复杂的透明导电氧化物层(TCO),例如 ITO(氧化铟锡)和AZO(掺铝氧化锌),GENERISPVD能极大地满足异质结电池技术的关键要求。太阳 能电池通过GENERIS PVD的工艺腔体自动传送,遵循在线原理且双面涂层处理。溅射设备可确保较高的层 厚均匀性,具有较高的层重现性、高生产率,同时降低了运营成本(OPEX)。

在整个工艺过程中,全面的基板温度控制可在≤200 °C的温度下实现最佳的涂层性能。与传统的反应性等离 子体沉积(RPD)等替代工艺相比,真空在线溅射设备具有许多明显的优势。以一家1 GW产能的HJT太 阳能电池工厂为例计算,使用SINGULUS最大产能为10,000片/小时(wph)的高产量溅射设备而,相比 使用产能只有2,500 wph的RPD设备,所需要的设备数量较少,资本支出(CAPEX)显著减少。最新设备 GENERIS PVD 10000可以确保最高10,000 wph的产能,年设备产量可达到约500 MW。由于设备占地面积 较小,对建筑和洁净室空间的要求也较低,可以进一步节省成本。另外,RPD系统只提供自下而上的单面 工艺,需要翻转晶片,产生额外不必要的晶片处理工序。相比之下,GENERIS PVD采用双面工艺,晶片处 理工序较少,减少晶片断裂、损坏和污渍。集团可以根据3000、6000和高达10,000片/小时的产能要求提供 不同的GENERIS PVD设备。

GENERIS PVD标准性能
→ 溅射材料:ITO, AZO和Ag, NiV, Cu, Al等金属层
→ 可同时对多个基板进行工艺(硅晶片)
→ 四种可选模式:
    → GENERIS LAB
    → GENERIS PVD 3000,效率约3000片/小时
    → GENERIS PVD 6000,效率约6000片/小时
    → GENERIS PVD 10000,效率约10000片/小时
→ 模块化配置
→ 低生产成本和高稼动率
→ 溅射方向可选自上而下/自下而上
→ 可配置溅射序列
→ 对整个工艺过程进行温度控制
→ 通过旋转式圆柱形磁电管最大程度使用靶材
→ 可选单边/双边模式
→ 可根据客户要求定制手动或半自动式实验室版本

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